中科院院士、北京大学教授、江苏华功第三代半导体产业技术研究院院长甘子钊教授致辞

如何让半导体器件更小、耐受更高电压、具备更低导通电阻和更高的开关速度快？以氮化镓（GaN）为主的第三代半导体将成为发展方向。10日，江苏华功第三代半导体产业技术研究院在苏州吴江区汾湖高新区成立，致力于第三代半导体和应用技术的产业化。

硅半导体材料和器件在材料质量、器件设计、工艺优化等环节已经十分成熟，硅（Si）材料已经越来越逼近它的物理极限。中科院院士、江苏华功第三代半导体产业技术研究院院长甘子钊教授介绍，与硅（Si）功率电子器件相比，第三代宽禁带半导体氮化镓（GaN）具备更高耐压、更低导通电阻，和更高的开关速度快等优势，可以使电源系统工作频率更高，损耗更低，尺寸更小，具备非常广阔的产业发展和应用前景。

目前，世界各国都大力支持和推进第三代半导体氮化镓和碳化硅电子器件的发展。甘子钊院士介绍，美国能源部支持基于第三代半导体的电力电子器件项目（“SWITCHES项目”），并联合企业成立了“下一代电力电子制造创新研究所”，这是美国为重振制造业设立的第四个国家级研究机构。作为氮化镓研究和产业化的强国，日本也设立了各种支持政策和项目。在企业界，美国、德国、加拿大、日本等国电子功率器件大公司都在开展第三代半导体器件的开发和市场推广工作。在我国，也有很多大学、研究机构在开展氮化镓电子器件相关的研究，比如北京大学、南京大学、西安电子科技大学、中山大学等。这两年，也出现了几家从事GaN电子器件开发的公司。

年5月，由北京大学、中山大学、中镓半导体和中国电子信息产业集团下属的彩虹蓝光为核心的华功氮化镓功率器件团队落户苏州市汾湖高新区，成立江苏华功半导体有限公司。致力于把氮化镓推向产业化。华功半导体的技术团队以北京大学、中山大学以及合作的高校产业化企业为核心，从年开始合作推动硅基氮化镓功率电子产业化，目前已攻克了相关材料与器件的产业化关键技术。

为了更快推进技术产业化，江苏华功半导体公司此次成立第三代半导体产业技术研究院。北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任、江苏华功第三代半导体产业技术研究院常务副院长张国义教授介绍，未来研究院将具备四大功能，一是第三代半导体技术的开发基地，围绕第三代半导体和电力电子技术的产业链上下游引进北大和中大的技术和团队，在材料、工艺、封装和应用方案上开展技术开发，推动产业的快速发展和成熟；二是以研究院为平台，引进团队，开发第三代半导体终端应用技术，推动第三代半导体下游应用的发展，支持尽快把第三代半导体产业做大做强；三是成为第三代半导体产业人才的培养基地，为华功半导体自身壮大和第三代半导体产业发展培养技术、管理人才；四是作为华功和地方产业发展的孵化器和优质项目引进平台。

苏州市副市长王鸿声、苏州市委组织部副部长胡卫江、吴江区委书记梁一波、吴江区汾湖高新区党工委书记李铭以及科技部第三代半导体材料项目管理办公室主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等参加揭牌仪式。南京大学郑有炓院士做了主题演讲。

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